碳化硅在90-1000k温度范围内的迁移率具有与其他大多数半导体不同的行为。n型材料的霍尔迁移率在200k时约具有10c㎡/v.s的大值,在1000k时大约降到2.5c㎡/v.s、90k时接近于零;p型材料的大值不明显,200k时的迁移率值为70c㎡/v.s,1000k时为30c㎡/v.s。碳化硅电工材料高温热电能|量转换的高温---元件,利用其非线性导电物性作成的避雷器、继电器及sic压min感器等。碳化硅是一种---的物质同时其特性也是非常的多的,碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,除作磨料用外,还有很多其他用途,例如:以特殊工艺把碳化硅粉末涂布于水轮机叶轮或汽缸体的内壁,碳化硅砖长年回收,可提高其耐磨性而延长使用寿命1~2倍;用以制成的高ji耐火材料,耐热震、体积小、重量轻而强度高,节能效果好。
当碳化硅粘土制品的配料中碳化硅组分的颗粒组成一定时,其气孔率取决于其中粘土的含量。碳化硅的中间颗粒为40%,当用增减粗颗粒的方法来---碳化硅细颗粒含量的变化范围为20-40%时,则制品气孔率的波动不明显。此时若将粘土的含量从3%增加至12%,则气孔率有规律地降低。将碳化硅中间颗粒含量降低至30%时,并不会影响由于增加粘土加入量而降---品气孔率的有效作用。在下列情况下气孔率低:碳化硅的细颗粒含量为40-50%及加入粘土3%;细颗粒含量30-40%及加入粘土6%;细颗粒含量20-30%及加入粘土12%。若进一步将碳化硅中间颗粒含量降低到20%时,在下列情况下可以制得气孔率低的制品:碳化硅细颗粒含量50%及加人钻粘土3%;碳化硅细颗粒30%及加入粘土6%;碳化硅细颗粒20%及加入粘土12%。当碳化硅的中间颗粒含量为10%时,其规律性与上述情况相同。
从颗粒尺寸来说碳化硅微粉的颗粒一般为亚微米级,而碳化硅磨粉粉则根据不同的用途有很大的尺寸范围。金刚砂的晶体也同金刚石一样,在光照下,它可以发生各种折射,发出耀眼的光辉。金刚砂的硬度达到莫氏9度(金刚石为10度),所以它也是上硬度大的材料之一。碳化硅至少有70种结晶型态。α-碳化硅为比较常见的一种同质异晶物,在高于2000°c高温下形成,具有六角晶系结晶构造(似纤维锌矿)。β-碳化硅,碳化硅砖常年回收,立方晶系结构,银川碳化硅砖,与钻石相似,则在低于2000°c生成。虽然在异相触媒担体的应用上,碳化硅砖大量回收,因其具有比α型态更高之单位表面积而引人注目,但直至今日,此型态尚未有商业上之应用。
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