氮化硅的很多性能都归结于此结构。纯si3n4为3119,有α和β两种晶体结构,均为六角晶形,其分解温度在空气中为1800℃,在110mpa氮中为1850℃。si3n4 热膨胀系数低、导热率高。热压烧结的氮化硅加热到l000℃后投入冷水中也不会。在不太高的温度下,si3n4 具有较高的强度和抗冲击性,但在1200℃以上会随使用时间的增长而出现破损,使其强度降低,在1450℃以上更易出现疲劳损坏,所以si3n4 的使用温度一般不超过1300℃。
相对分子140.28。灰色、白色或灰白色。属高温难溶化合物,无熔点,抗高温蠕变能力强,不含粘结剂的反应烧结氮化硅负荷软化点在1800℃以上;六方晶系。晶体呈六面体。反应烧结法制得的si3n4密度为1.8~2.7g/cm3,热压法制得si3n4密度为3.12~3.22g/cm3。莫氏硬度9~9.5,维氏硬度约为2200,显微硬度为32630mpa。熔点1900℃(加压下)。通常在常压下1900℃左右分解。比热容0.71j/(g·k)。生成热为-751.57kj/mol。热导率为(2-155)w/(m·k)。线膨胀系数为2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)。不溶于水。溶于。在空气中开始氧化的温度1300~1400℃。比体积电阻,回收氮化硅砖价格,20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m。弹性模量为28420~46060mpa。耐压强度为490mpa(反应烧结的)。1285℃时与二氮化二钙反应生成二氮---,600℃时使过渡金属还原,放出氮氧化物。抗弯强度为147mpa。可由硅粉在氮气中加热或卤化硅与氨反应而制得。电阻率在10^15-10^16ω.cm。可用作高温陶瓷原料。
氮化硅结合碳化硅砖是以高纯sic为骨料,添加硅粉等外加剂,依据原位生成理论,在氮化炉中烧制而成。该产品具有强度高、高温耐磨性好、热传导率高、热膨胀系数小、热震稳定性好等优点。 其结构特征是:sic大颗粒为基质所包围,氮化硅砖,基质部分由粒状sic和原位生成的纤维状si3n4所组成,si3n4纤维交织成三维空间网络,大量回收氮化硅砖价格,将sic小颗粒包围起来,并与sic大颗粒形成牢固的机械结合。根据要求配以各种结合剂,经高压成型,制品具有---的热稳定性和较高的导热系数,且耐腐蚀性好,是工业窑炉理想的节能材料,该产品具有高温耐磨性好、膨胀系数小、热震稳定性好等特点。适用于气化炉气体出口处,---要求热震稳定性---。 本产品用于铝电解槽可减薄工作层,扩大电解槽的容积,具有高的导热性能、性能和抗冰晶石侵蚀性能,对高功率铝电解槽尤为适用。该产品已在焦作万方铝业、贵阳铝业、中孚铝业、包头铝业等多家企业的大型电解槽中使用,并出口力拓加拿大铝业、俄罗斯铝业、巴林铝业等,深得用户---。
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